РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000621996<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Neha Goel Comparison of three dimensional partially and fully depleted SOI MOSFET characteristics using MathCAD / Neha Goel, Manoj Kumar Pandey // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 1. - С. 01041-1-01041-4. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. In this paper, comparison of three dimensional characteristics between partially and fully depleted Silicon-On-Insulator (SOI MOSFET) is presented, this is done through 3D device modeling using MathCAD, based on the numerical solution of three dimensional Poisson's equation. Behavior of various parameters like surface potential, threshold voltage. Electric field and drain current are presented in this paper. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371 в641 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського