The bulk nanograined Bi₂Te₃ material was prepared by the microwave assisted solvothermal method and cold isostatic pressure method. It was found that above T ≈ 190 K the temperature dependence of the specific electrical resistivity of material is of metallic type, while below this temperature a semiconductor conductivity takes place. Within the temperature ΔT ≈ 90 - 35 K interval the electrical conductivity of material can be described by the variable-range hopping conductivity mechanism. Negative magnetoresistance was observed at the same temperature interval.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"