Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000623217<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Matveev D. Yu. Carrier scattering mechanisms in bismuth films doped with tellurium / D. Yu. Matveev // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 3. - С. 03012-1-03012-5. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.The article compares earner mobility in monocrystals, as well as monocrystal and block films of different width thus defining carrier contnbution to interaction with phonons, surface, boundanes and structural defects of crystallites in bismuth films doped with tellurium. It is determined that there is a linear dependence of inverse electron mobility on inverse width of bismuth film doped with tellurium. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902.6 + В372.312 + В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|