Увагу приділено дослідженню впливу опромінення γ-квантами, протонами та нейтронами на магнітні і магніторезистивні характеристики ниткоподібних кристалів Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃. Методом вирощування з газової фази одержано ниткоподібні кристали Si_1-xG_x (х = 0,01 - 0,08) з поперечними розмірами 0,1 - 80 мкм. Виявлено найкращу якість та міцність зразків складу Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃ завтовшки 20 - 40 мкм. Обгрунтовано особливості магнітної сприйнятливості Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃ різного поперечного розміру. Встановлено, що зміни магнітоопору кристалів Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃, опромінених γ-квантами, пов'язані делокалізацією носіїв заряду у домішковій зоні кристалу. Показано, що парамагнетизм опромінених Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃ 6,8 МеВ протонами зумовлений утворенням А-центрів і дивакансій, а істотний магнітоопір - магнітопольовим зменшенням рухливості вільних носіїв заряду. За результатами вимірювання магнітної сприйнятливості показано, що ниткоподібні кристали Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃ є значно стійкішими до нейтронного опромінення (понад 30 %), у порівнянні з монокристалічним кремнієм, вирощеним методом Чохральського. Встановлено, що за температур близько 4,2 К причиною магнітоопору ниткоподібних кристалів Si₀‚₉₇Ge₀‚₀₃, опромінених нейтронами, є магнітопольове зменшення рухливості та концентрації вільних носіїв заряду. За більш високих температур (близько 40 К) переважним механізмом магнітоопору є магнітопольове зменшення рухливості вільних носіїв заряду.

• Павловська Надія Тарасівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"