РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000635123<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Войтович В. В. 
Вплив олова на структурні перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію / В. В. Войтович, Р. М. Руденко, В. О. Юхимчук, М. В. Войтович, М. М. Красько, А. Г. Колосюк, В. Ю. Поварчук, І. М. Хацевич, М. П. Руденко // Укр. фіз. журн.. - 2016. - 61, № 11. - С. 986-991. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.

Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (a-Si) в субоксидній матриці a-SiOxSn. Показано, що температура, за якої починається процес кристалізації, є тим нижчою, чим більше олова міститься в a-SiOxSn плівках. Для зразків з максимум олова (2 % до об'єму SiOx) кристалізація починається за температури 500 <^>oC, для зразків із середнім значенням олова (1 %) температура кристалізації становить 800 <^>oC і для зразків з мінімум олова (0,5 %), процес кристалізації a-Si починається за 1000 <^>oC. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз a-Si і SiO2 у досліджуваних зразках у процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у a-SiOxSn плівках із високим вмістом олова (1 і 2 %) у процесі кристалізації a-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d = 5 - 7 нм) у порівнянні з нелегованими оловом зразками (d >= 10 нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації (МІМК) a-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiOx, які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, припускається, що у цьому випадку необхідною умовою для початку кристалізації a-Si є наявність металічних скупчень олова в SiOx, і має місце МІМК.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.251.4 + В379.224

Рубрики:
 Структура напівпровідників 
 Кристалізація 
 Склоподібні напівпровідники 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського