Приведены результаты исследования эффекта Шубникова - де Гааза и термоэлектрических свойств монокристаллов p-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, легированных Ga, n-Bi2-xTlxSe3 и p-Sb2-xTlxTe3. По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании. Установлено, что Ga действует, как донор в p-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, Tl оказывает акцепторное действие в n-Bi2-xTlxSe3 и увеличивает подвижность электронов, в то время как в p-Sb2-xTlxTe3 и концентрация дырок и их подвижность уменьшается при легировании Tl. Обсуждено изменение дефектности кристаллов, которое и приводит к этим эффектам. Синтезированы и исследованы наноструктурированные твердые растворы Sb2Te3-xSex (0 << x <<1). При увеличении содержания Se в тройном соединении Sb2Te3-xSex концентрация дырок уменьшается. При этом наблюдается уменьшение коэффициента Зеебека, что является нетипичным для полупроводниковых соединений, но коррелирует со свойствами кристаллических твердых растворов Sb2Te3-xSex, исследованных ранее. Предложена теоретическая модель, описывающая одновременно изменение коэффициента Зеебека, коэффициента Холла и электропроводности в зависимости от содержания селена х. Проведенные расчеты показывают, что для одновременного количественного описания термоэлектрических и гальваномагнитных свойств исследованных наноструктурированных материалов необходимо учитывать как изменение зонной структуры Sb2Te3-xSex, так и локализацию части дырок.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"