Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000654303<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Лучит Л. Дослідження перерізів GdSi2 - RGe2 (R = Tm,Dy) / Л. Лучит, Н. Герман, З. Шпирка // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім.. - 2015. - Вип. 56 (ч. 1). - С. 72-79. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено взаємодію компонентів на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 за температури 873 K. З'ясовано, що на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 утворюються тверді розчини заміщення, у яких відбувається поступовий концентраційний перехід від ромбічної структури типу <$E alpha - roman GdSi sub 2> в тетрагональну типу <$E alpha - roman ThSi sub 2> і навпаки. В квазіпотрійних системах GdSi2 - GdGe2 - DyGe2 та GdSi2 - GdGe2 - TmGe2 виявлено два поля існування структур: ромбічної <$E alpha>-GdSi2 та тетрагональної <$E alpha - roman ThSi sub 2>, між якими відбувається неперервний перехід. Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.25
Шифр НБУВ: Ж28852/х. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|