Ivanov O. N. Low-temperature minimum in the electrical resistivity of the Bi1,9Lu0,1Te3 = Низкотемпературный минимум электрического сопротивления Bi1,9Lu0,1Te3 / O. N. Ivanov, M. N. Yaprintsev, R. A. Lyubushkin, O. N. Soklakova // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 4 (ч. 1). - С. 04036-1-04036-4. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.Температурная зависимость удельного электрического сопротивления <$Erho> Bi1,9Lu0,1Te3 изучена в интервале температур 2 - 230 K. Минимум сопротивления обнаружен при температуре <$ET sub m ~symbol Ы~11>. Этот минимум появляется из-за изменения механизма проводимости. Выше Tm сопротивление увеличивается с увеличением температуры. Это поведение обусловлено уменьшением подвижности электронов из-за рассеяния фононов при нагревании. Ниже Tm прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, основанная на туннелировании электронов, имеет место. В этом случае <$Erho> увеличивается с понижением температуры. Два полевых режима прыжковой проводимости обнаружены в зависимостях сопротивления от напряженности электрического поля. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|