Liubchenko O. I. Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation / O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, O. Yo. Gudymenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 3. - С. 355-361. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.In this work, we consider the approach for simulation of X-ray rocking curves inherent to InSb(111) crystals implanted with Be<^>+ ions with various energies and doses. The method is based on the semi-kinematical theory of X-ray diffraction in the case of Bragg geometry. A fitting procedure that relies on the Hooke - Jeeves direct search algorithm was developed to determine the depth profiles of strain and structural disorders in the ion-modified layers. The thickness and maximum value of strain of ion-modified InSb(lll) layers were determined. For implantation energies 66 and 80 keV, doses 25 and 50 <$Emu>C, the thickness of the strained layer is about 500 nm with the maximum value of strain close to 0,1 %. Additionally, an amorphous layer with significant thickness was found in the implantation region. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|