The process of tin-induced crystallization of amorphous silicon under the influence of different types of laser irradiation was investigated using the method of Raman scattering by thin-film Si - Sn - Si structures. The dependences of the size and concentration of Si nanocrystals on the power of laser radiation was experimentally evaluated and analyzed. As sources of excitation pulse laser radiation with the pulses duration equal to 20 ns and 150 mu s and wavelengths equal to 535 and 1070 nm was used. The possibility of efficient tin-induced transformation of silicon from amorphous phase to crystalline one in the 200-nm thick layers of a-Si under the action of laser pulses with duration equal to 20 ns was shown. The spatial and temporal distributions of laser induced temperature rise was calculated to interpret experimental results.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мельник Василь Володимирович (педагогічні науки)
• Мельник Василь Володимирович (медичні науки)
• Федоренко Леонід Леонідович (фізико-математичні науки)
• Шеплявий Петро Євгенович (технічні науки)
• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"