РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000686723<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Karachevtseva L. A. 
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon = Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію / L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - 9, № 2. - С. 158-166. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

Релаксацію розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію (МПК) розраховано за допомогою методу кінцевих різниць. Початковий розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду має 2 максимуми, після генерації носіїв заряду електромагнітної хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання. Перший максимум функції початкового розподілу знаходиться в макропористому шарі (МПШ), другий - в монокристалічній підкладці (МКП). Поверхнева рекомбінація призводить до дифузії надлишкових носіїв заряду до центрів рекомбінації і створює неоднорідність їх розподілу. Виявлено швидке зменшення максимуму функції розподілу надлишкового носіїв заряду в МПШ і поблизу межі між МПШ і МКП. Виявлено повільне зниження функції розподілу в МКП. Швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок дифузії носіїв заряду до поверхні кремнієвої підкладки. Після генерації фотоносіїв електромагнітною хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання, швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок їх дифузії до поверхні кремнієвої підкладки. Після однорідної генерації носіїв заряду електромагнітною хвилею 1,05 мкм з великою глибиною поглинання формується один максимум розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду. Водночас швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується у всій структурі.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В379.371.6

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського