Литовченко В. Г. Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах / В. Г. Литовченко, А. І. Курчак, М. В. Стріха // Укр. фіз. журн.. - 2018. - 63, № 6. - С. 526-529. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Вперше адаптовано для 2D напівпровідникових моношарів типу MoS2 та WS2 просту теоретичну модель розігріву електронів у системі з двома долинами. Показано, що така модель добре описує наявні експериментальні дані щодо ефекту негативної диференціальної провідності в моношарі WS2 й підтверджує можливість створення на таких структурах нового покоління діодів Ганна. Частоти, які можна одержати на таких діодах, становлять порядку 10 ГГц і вище, що робить такі діоди потенційно привабливими для низки практичних застосувань. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|