![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000691039<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Djerioui M. A graphical method to study electrostatic potentials of 25 nm channel length DG SOI MOSFETs / M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4. - С. 04027-1-04027-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.To determine electrostatic potentials in silicon channel of undoped DG SOI MOSFET devices, a graphical approach is proposed. The method keeps close to experimental reality by taking into account flat band potential at reduced channel lengths up to 25 nm. This graphical method solves a transcendental equation of Poisson's equation to obtain electrostatic potentials at center and surface of device as a function gate and drain bias voltages. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.116.641
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|