Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<< 10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів III-нітридів. Зокрема, для епітаксіпних шарів p-GaN засвідчено низьку щільність проростаючих дислокацій (~5 x 10<^>6 см<^>-2) і продемонстровано, що УФ-GaN-фотодіоди Шоткі на таких нанотемплетах мали більш крутий довгохвильовий (375 - 475 нм) крап нормованої фоточутливості порівняно з фотодіодами без них. Проаналізовано придатність таких нанотемплетів для шарів акумулювання енергії, зокрема, для формування шарів низькодефектного нітриду бору, в які інкапсулюється графен, для виготовлення суперконденсаторів, а також для формування нанокарбідів і консолідованих фаз AlCN або BCN в MOCVD-реакторі в потоці триметилу алюмінію або триетилу бору відповідно, на поверхні таких нанотемплетів.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Суховій Ніна Олегівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"