Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольтамперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедренными в нее примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"