Быткин С. В. Радиационная чувствительность планарных NPN структур, изготовленных на изовалентно легированном германием кремнии (nSiGe) / С. В. Быткин, Т. В. Критская // Сучас. проблеми металургії : зб. наук. пр.. - 2019. - 22, № . - С. 13-21. - Библиогр.: 15 назв. - рус.Исследована радиационная чувствительностьпрп структур, изготовленных на кремнии, легированном германием (nSiGe). Показано, что скорость деградации усилительных свойств тестового планарного транзистора нелинейно зависит как от концентрации изовалентной примеси, так и от дозы <$Ealpha>-облучения, причем характер зависимости определяется шириной базы прибора. Полученные зависимости подтверждают возможность использования nSiGe для изготовления скретных полупроводниковых приборов, устойчивых к действию ионизирующего излучения. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж70265 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|