Исследована радиационная чувствительностьпрп структур, изготовленных на кремнии, легированном германием (nSiGe). Показано, что скорость деградации усилительных свойств тестового планарного транзистора нелинейно зависит как от концентрации изовалентной примеси, так и от дозы <$Ealpha>-облучения, причем характер зависимости определяется шириной базы прибора. Полученные зависимости подтверждают возможность использования nSiGe для изготовления скретных полупроводниковых приборов, устойчивых к действию ионизирующего излучения.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Критська Тетяна Володимирівна (1948–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"