Досліджено особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х = 0 - 0,10) в інтервалі температур 80 - 400 К. Показано, що уведення атомів V (rV = 0,134 нм) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення Zr (rZr = 0,160 нм) супроводжується неочікуваним збільшенням значень періоду елементарної комірки a(x) Zr1-xVxNiSn, вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На підставі аналізу швидкості руху рівня Фермі <$E roman {DELTA epsilon sub F "/" DELTA sub x Zr sub 1-x V sub x NiSn}> у напрямі зони провідності зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари) за невідомим механізмом, які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника.

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)
• Крайовський Володимир Ярославович (технічні науки)
• Романів Іванна Михайлівна (хімічні науки)
• Гаранюк Петро Ігорович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"