РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000713299<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Завьялова Л. В. 
Получение и исследование полупроводниковых пленок <$E bold roman {A sup I-VIII B sup VI}> и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов / Л. В. Завьялова, Г. С. Свечников, Н. Н. Рощина, Б. А. Снопок // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр.. - 2018. - Вып. 53. - С. 83-123. - Библиогр.: 109 назв. - рус.

Рассмотрены различные аспекты и направления развития разработанного впервые в ИФП НАНУ оригинального химического метода синтеза моно- и мультифазных полупроводниковых материалов - безвакуумного CVD метода получения пленок посредством пиролиза металлокомплексов дитиокарбаматов. Его отличительными особенностями являются возможность получения плёнок бинарных соединений из одного, а не из нескольких прекурсоров, а также возможность выращивать качественные плёнки в атмосфере воздуха. Этим методом получено большой ряд полупроводниковых соединений типа A<^>I-VIIIB<^>VI. Обзор включает в себя начальный период разработки, связанный с поиском прекурсоров, удовлетворяющих требованиям, предъявляемым к технологии и исходным веществам. Рассмотрены различные этапы развития технологии: синтез исходных компонентов, их термоанализ, исследование кинетики роста пленок, получение пленок различных соединений, исследование их структуры, морфологии поверхности, физических, оптических, полупроводниковых свойств, а также получение пленочных структур на их основе. Показано, что на неориентирующих подложках формируются поликристаллические текстурированные пленки с высокой адгезией к подложкам различного типа, а на ориентирующих - высокоориентированные эпитаксиальные пленки. Для метода характерны сравнительно низкие (200 - 350 <$E symbol Р>C) температуры образования пленок и высокие скорости их роста (1 - 20 нм/с), возможность получения пленок в широком диапазоне толщин (от 50 нм до 10 мкм). Подробно обсуждено получение фотопроводящих, люминесцентных, проводящих и резисторных структур, акустоэлектронных элементов и других систем оптоэлектроники. Приведены примеры серийных устройств на основе пленок, изготовленных данным методом.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.226

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського