РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000713306<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Оліх Я. М. 
Чинники релаксації акустопровідності в CdTe / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, М. І. Ілащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр.. - 2018. - Вып. 53. - С. 199-212. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.

З метою з'ясування механізмів релаксації акустопровідності <$E sigma sub roman УЗ (t)> в низькоомних кристалах n-CdTe (<$E roman {N sub Cl~symbol Ы~1024~м sup -3}>) в інтервалі температур (<$E 77~symbol Ш~300>) К проведено дослідження її кінетики при ввімкненні та вимкненні ультразвуку. Роздільне співставлення температурних залежностей амплітуд окремих стадій <$E sigma sub roman УЗ (t)> з відповідними температурними змінами концентрації та рухливості, які отримані з незалежних "холлівських" вимірювань, дозволило пов'язати концентраційні ефекти з "миттєвими", а зміни рухливості - з "довготривалими" акустонаведеними змінами <$E sigma sub roman УЗ (t)>. Порівняння температурних швидкостей зростання окремих компонент рухливості з температурними змінами амплітуд окремих стадій <$E sigma sub roman УЗ (t)> дозволило розділити часові рамки прояву різних механізмів. Так, дві компоненти розсіювання - "дислокаційну" та "на нейтральних домішках", які характеризуються малими швидкостями температурних змін, близькими до швидкості зміни миттєвої компоненти, віднесено до чинників, що визначають миттєву акустостимульовану зміну <$E sigma~(t)>. Компоненту розсіювання "на тонізованих домішках", як саму швидку, і яка характеризується найбільшим акустостимульованим зростанням <$E sigma~(t)> віднесено до чинників, що визначають довготривалі зміни <$E sigma~(t)>. Обговорено можливі механізми акустостимульованих процесів перебудови структури точково-дефектних комплексів в придислокаційних областях кристала. Відзначено, що при динамічних акустостимульованих коливаннях дислокацій з амплітудою, що значно перевищує параметр гратки, відбувається дифузійне затягування точкових дефектів із об'єму кристала (субблока) в потенціальні ями придислокаційних кластерів. Цей процес може призводити до захоплення на дислокаційні пастки значної кількості дефектів точкового типу (у тому числі заряджених), що веде до зменшення концентрації іонізованих центрів.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського