Досліджено особливості електронної та кристалічної структур напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (x = 0 - 0,10). Для прогнозування поведінки рівня Фермі <$E epsilon sub roman F>, ширини забороненої зони <$E epsilon sub roman g> і кінетичних характеристик Zr1-xVxNiSn розраховано розподіл густини електронних станів (DOS). За результатами розрахунків електронної структури та вимірювання електротранспортних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn визначено механізм одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи. Встановлено, що у забороненій зоні Zr1-xVxNiSn з'являються енергетичні стани домішкових донорної <$E epsilon sub D sup 2> та акцепторної <$E epsilon sub A sup 1> зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника.

• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Крайовський Володимир Ярославович (технічні науки)
• Романів Іванна Михайлівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"