Методом Бріджмена вирощено кристали Cd1-xMnxTe (x = 0,02; 0,04; 0,08), леговані домішкою Ge. Електричними вимірюваннями в інтервалі температур 280 - 420 К встановлено, що діркова провідність кристалів контролюється глибокими компенсованими акцепторами, енергія іонізації яких (<$E epsilon sub roman A>) збільшується з вмістом Mn(x) згідно зі співвідношенням <$E epsilon sub roman A~=~ 0,6(1~+~2x)> еВ. За 300 К: <$E rho~=~(10 sup 8~-~10 sup 9 )> (Ом-см), <$E roman R sub X~=~(5~times~10 sup 9~-~5~times~10 sup 10 )> см<^>3/Кл; рухливість носіїв струму ~50 см<^>2/(В-с).

• Фочук Петро Михайлович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"