Compositionally graded AlxGa1-xN alloys with the Al concentration in the (<$E7~symbol Г~x~symbol Г~32>) range were implanted with Ar<^>+ ions to study the structural and strain changes (strain engineering). It was shown that ion implantation leads to ~0,3 - 0,46 % hydrostatic strains and a relatively low damage of the crystal structure. The ion-implantation leads mainly to an increase of the density of point defects, while the dislocation configuration is almost unaffected. The density of microdefects is sufficiently reduced after the postimplantation annealing. The structural quality of the AlxGa1-xN layers strongly depends on the Al concentration and is worsen with increasing Al. The implantation induced structural changes in highly dislocated AlxGa1-xN layers are generally less pronounced. Based on the X-ray diffraction, a model is developed to explain the strain field behavior in the AlxGa1-xN heterostructures by migration of point defects and strain field redistribution. The approach to simulate <$E2 theta "/" omega> scans using statistical dynamical theory of X-ray diffraction for implanted compositionally graded structures AlGaN has been developed.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Любченко Олексій Ігорович (фізико-математичні науки)
• Станчу Григорій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Сабов Томаш Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"