In this paper, the electrostatic theory of the nanowire radial core-shell p-i-n homojunction has been considered. The carried out calculations show that, in contrast to planar p-i-n diode, the built-in electric field of the nanowire radial p-i-n diode proves to be inhomogeneous. This field reaches its maximum in the region of the i-layer adjoining to the core. When moving away the i-layer from the nanowire center, the degree of field inhomogeneity decays, and both edge values of the field in the i-layer reach eventually the magnitude, which takes place in analogous planar p-i-n diode. This magnitude can be both higher and lower than the maximal field in the nanowire p-i-n diode (depending on doping conditions). Simultaneously, the capacitance of the nanowire p-i-n diode can both increase and decrease in its value, going, at the same time, to weak voltage dependence inherent to the planar p-i-n diode.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"