Використовуючи метод теорії функціонала густини, наведено взаємодію між силіценовим нанолистом (Si-NS) і леткими органічними сполуками, які вивільняються з груш (Pyrus communis) на стадіях стиглості і перестиглості. Геометричну стійкість Si-NS вивчено зі структури фононного спектра. Електронну властивість Si-NS вивчено з енергетичної структури забороненої зони, і знайдено, що енергія забороненої зони дорівнює 0,46 еВ і має напівпровідникову природу. Результати показують, що адсорбція летких речовин, які вивільняються з груш на силіценовий нанолист, є в такому порядку: гексил ацетат - бутил ацетат - бутил бутират на стадії стиглості, в той час як на стадії перестиглості відмічається така послідовність адсорбції: оцтова кислота - етил ацетат - 1-бутанол. Характеристику адсорбції летких речовин, що вивільняються з груш на силіценовий нанолист, задокументовано з енергією адсорбції, зміною середньої енергії забороненої зони і переносом заряду Бадера. Окрім того, адсорбцію летких органічних сполук на силіценовий нанолист вивчено, використовуючи енергетичну зонну структуру, електронну густину разом з адсорбційними вузлами і спектр густини станів. Результати показали, що силіценовий нанолист можна використовати для розпізнавання якості груш.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"