Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN (SJ) вдосконалено з використанням ізолюючого шару високоміцного титанату стронцію (SrTiO3) в середині шарів Au і n-GaN. Розглянуто електричні властивості Au/n-GaN SJ та Au/SrTiO3/n-GaN метал/ізолятор/напівпровідник (MIS) переходу за допомогою методів струм-напруга і ємність-напруга. MIS перехід показав вишуканий випрямляючий характер у порівнянні з SJ. Встановлено, що послідовний опір та опір шунту становлять <$E30~OMEGA>, <$E4,69~times~10 sup 6 ~OMEGA> та <$E250~OMEGA>, <$E2,12~times~10 sup 9 ~OMEGA> і, відповідно, для SJ та MIS переходу. Розрахункова висота бар'єру і коефіцієнти ідеальності SJ і MIS переходу становили 0,67, 1,44 і 0,83 еВ, 1,78, відповідно. Більше значення висоти бар'єру було досягнуто для MIS переходу у порівнянні з SJ, що свідчить про те, що висота бар'єру ефективно змінювалася за допомогою шару SrTiO3. Крім того, коефіцієнт ідеальності, висота бар'єру і послідовний опір SJ і MIS переходу оцінювалися за допомогою функції Ченга і порівнювалися між собою. На підставі результатів спостереження показано омічну поведінку в областях з низькою напругою і провідність, обмежену об'ємним зарядом, в областях з вищою напругою у прямому зсуві I - V характеристики для SJ і MIS переходу. Досліджено механізм провідності зворотного струму витоку SJ і MIS переходу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"