Varun Mishra Investigation of localized charges on linearity and distortion performance of ferroelectric dual material gate all around TFETs = Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів / Varun Mishra, Yogesh Kumar Verma, Santosh Kumar Gupta // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 4. - С. 04014-1-04014-6. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.Масштабування польових транзисторів (MOSFETs) менше 20 нм призводить до деяких ускладнень, таким як високий струм вимкненого стану через зменшення товщини оксиду затвору, індукованому стоком зниженню бар'єру та іншім ефектам короткого каналу. З цієї точки зору, тунельний польовий транзистор (TFET) є найкращим претендентом, щоб затьмарити MOSFETs у нанорозмірному режимі. Властивість негативної ємності сегнетоелектричного матеріалу поєднується з міжзонним тунельним механізмом TFET з метою посилення струму увімкненого стану пристрою. Як сегнетоелектричний шар (затворний діелектрик) використовують оксид гафнію, легований кремнієм (Si:HfO2). Більш низька діелектрична проникність і сумісність з технологічним процесом робить його підходящим сегнетоелектричним матеріалом на відміну від неровскітних матеріалів. Досліджено вплив локалізованих зарядів на електричні показники, лінійність і параметри спотворення тунельного транзистору з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів (FE-DMGAA-TFET). Наявність оксидних зарядів змінює точку зміщення пристрою; отже, його вплив потрібно досліджувати з точки зору показників якості лінійності та спотворення. Локалізований заряд оксиду може бути як позитивним, так і негативним залежно від енергетичного рівня пастки щодо рівня Фермі. Виявлено, що струм вимкненого стану значно збільшується для донорно-локалізованого заряду від 10<^>-10 до <$E10 sup -12 ~roman A back 45 up 35 symbol Р>. Нелінійність і спотворення пристрою зменшуються за присутності негативного локалізованого заряду. За допомогою числових розрахунків було проаналізовано, що внаслідок донорсько-локалізованих зарядів піднороговий режим значно погіршується, підкреслюючи вимогу інтенсивного аналізу в цьому інтервалі для майбутньої ринкової ніші електроніки. Однак вплив акцепторно-локалізованих зарядів на продуктивність пристрою є незначним. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|