Досліджено питання "квантової інженерії" вирощування плівок срібла на напівпровідникових підкладинках, яке уможливлює одержання нових форм речовини. Наведено результати з енергетичної дисперсії електронних станів у епітаксіальних плівках Ag(111), одержаних на Si(001) та Si(111). Пояснено розщеплення зон і наведено результати аналізу поверхневих станів за Шоклі. Детально проаналізовано надструктури, які утворюються на поверхні моношарових наноструктур срібла. Здійснено детальний аналіз енергетичних станів квантових ям шляхетних металів. Досліджено механізм формування нанорельєфу шляхетного металу на поверхнях (111) і (110) монокристалу Si за багатостадійного термічного напорошення. Симетрія поверхні інтерфейсу монокристалічної площини кремнію Si (111) <$E7~times~7> є детермінувальною у механізмі росту гексагонально-пірамідальних структур міді, срібла та золота. Досліджено морфологічні особливості поверхні індію за його термічного нанесення на поверхні Si(111) і Si(110). Спостережено утворення кластерів правильної кубічної форми, що свідчить про формування нанокристалів In. Утворення нанокластерів In (розміром у <$Esymbol Ы~10> нм) на поверхні Si(111) і подальше змінення морфології поверхні монокристалу модифікують розраховані криві густини електронних станів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"