Проведено першопринципний розрахунок атомарної та електронної структур, а також пружніх властивостей надкомірки силіцію з 64 атомів за наявності власних точкових дефектів, основних домішкових атомів (O, C) та легувальних домішок (N, B, P, As, Al, In). Розрахунок проведено за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакета програм ABINIT. Проаналізовано зміщення атомів силіцію навколо досліджених точкових дефектів аж до 9 координаційної сфери включно. Обраховано та проаналізовано особливості зміни рівноважного об'єму та коефіцієнта всебічного стиснення надкомірки з 64 атомів Si із різними точковими дефектами. Показано, що деформація структури за рахунок точкових дефектів призводить до зменшення модуля всебічного стиснення для всіх досліджених випадків, крім міжвузловинного оксигену. Наведено та проаналізовано електронні спектри надкомірок силіцію з різними точковими дефектами. Показано, що наявність власних точкових, дефектів, а також оксигену та карбону в силіції призводить до появи вузьких домішкових піків в околі рівня Фермі, які у випадку міжвузловинного оксигену можуть призводити до формування магнітних моментів на домішкових атомах.

• Плющай Інна Вячеславівна (фізико-математичні науки)
• Горкавенко Тетяна Василівна (фізико-математичні науки)
• Плющай Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"