Проведено комплексне дослідження квантових ефектів у дірковій гетероструктурі Si0,2Ge0,8/Ge/Si0,2Ge0,8, що має дуже високу рухливість вільних носіїв заряду: <$E mu sub H~=~1367000~roman {см sup 2 "/" (В~cdot~с)}>. На підставі аналізу магнітоквантових осциляцій Шубнікова-де Гааза визначено ефективну масу носіїв заряду, яка виявилася дуже малою (m<^>* = 0,062m0), а також величину флуктуації концентрації дірок уздовж каналу <$E delta p~=~3,5~cdot~10 sup 9~roman см sup -2>. У сильних магнітних полях виявлено прояв дробового ефекту Холла (з числами заповнення 8/3, 7/3, 5/3, 4/3), який спостерігався при температурах майже до 5 К. Дослідження квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації та електрон-електронної взаємодії носіїв заряду, що проведено у такій високорухливій системі вперше, дозволив розрахувати значення спінового розщеплення <$E DELTA~=~1,07> меВ та константи взаємодії <$E F sub 0 sup sigma~=~-0,12>, які є узгодженими з одержаними раніш результатами.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"