Досліджено концентраційні залежності коефіцієнта Холла, електропровідності та рухливості носіїв заряду в CexSn1-xSe (<$E х~symbol Г~0,02>) в інтервалі температур 77 - 400 К. У зразках, які досліджено, відбувається компенсація домішок власними дефектами. Зі зростанням концентрації церію (x = 0,01; 0,015) збільшується концентрація донорних домішок та спостерігається зміна типу провідності.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"