У багатоканальній технології транзистор DG-FinFET є новою структурою завдяки кращому електростатичному контролю над каналом. Досліджено транзистор FinFET з подвійним затвором (DG-FinFET), якого було модифіковано за допомогою high-K діелектричного матеріалу як стека затворів (GS) та спейсерної інженерії, що здатна покращити його властивості. Характеристики транзисторів DG-FinFET, GS-DG-FinFET і GS-DG-FinFET зі спейсерною конфігурацією прирівнюються до показників якості короткоканальних ефектів (SCEs), аналогових і радіочастотних застосувань. Проаналізовано показники якості SCEs, такі як підпороговий нахил (SS), індуковане стоком зменшення бар'єру (DIBL) та відношення струмів переключення (IONN/IOFF). У роботі аналогову ефективність пристроїв досліджено на базі таких параметрів, як транспровідність (gm), коефіцієнт посилення транспровідності (TGF), вихідна провідність (gd), струм стоку (ID), рання напруга (VEA), внутрішнє посилення (AV). Радіочастотну ефективність проаналізовано на основі показників якості паразитної ємності затвора (Cgd, Cgs та Cgg), порогової частоти (fT), коефіцієнта посилення частоти (GFP) і частотного коефіцієнта транспровідності (TFP). При цьому зроблено спробу провести порівняльне дослідження, щоб запропонувати можливість поліпшення характеристик структури GS-DG за VDS = 0,05 В та 1,0 В. Тут параметр DIBL демонструє величину 49,8 %, а значення SS зменшилося на 32,65 %. Виходячи з дослідження аналогової ефективності, VEA підвищився на 4,31 %, TGF пристрою покращився на 33,9 %, а його посилення у порівнянні зі звичайним. Моделювання виконано з урахуванням параметрів 45 нм вузла відповідно до дорожньої карти ITRS для високошвидкісних додатків і низькоенергоємних схем.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"