Маслянчук О. Л. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры CdS/CdMgTe для тандемных солнечных элементов / О. Л. Маслянчук, Т. И. Микитюк, И. М. Фодчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр.. - 2019. - 17, вип. 4. - С. 737-746. - Библиогр.: 17 назв. - рус.Исследованы тонкопленочные гетероструктуры CdS/Cd0,92Mg0,08Te для применения в тандемных солнечных элементах. Показано, что измеренные ВАХ солнечных элементов описываются в рамках теории Саа - Нойса - Шокли генерации-рекомбинации в области пространственного заряда гетероструктуры. Спектр квантовой эффективности с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих, рекомбинации на фронтальной и тыльной поверхностях слоя поглотителя CdS/Cd0,92Mg0,08Te хорошо описывает измеренные спектры. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными данными позволяет определить основные параметры слоя CdS/Cd0,92Mg0,08Te и структуру диода. Індекс рубрикатора НБУВ: З637-04
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|