Розроблено модель довгомірного ВТНП-датчика (високотемпературний надпровідник) на основі рівняння нестаціонарної теплопровідності з внутрішнім джерелом теплоти, доповнено її системою рівнянь гідродинаміки та теплообміну на границі датчика з кріопродуктом, який описується граничними умовами ІІІ роду. Адекватність результатів чисельного рішення системи рівнянь, що описують модель, експериментальними даними дозволяє істотно скорочувати обсяг трудомістких і досить витратних досліджень. Експериментально одержано для сімох досліджених довгомірних ВТНП-провідників нові дані щодо статичних вольт-лінійних \i U = f(h) \i0 і динамічних \i U = φ(∆h,т) \i0 характеристик, необхідних для розрахунку діапазону вхідних напруг підсилювача постійного струму та проектування вторинного приладу - вимірника рівня рідини в кріосудині. Сформульовало науково обгрунтовані вимоги до ефективного довгомірного композитного ВТНП-датчика терморезистивного вимірника рівня рідкого кріопродукта. Показано, що на основі купратних ВТНП-матеріалів типу Bi2223 і Вi2212 можна створювати довгомірні датчики з необхідними для їх використання в терморезистивних вимірниках рівня з властивостями рідкого азоту, наприклад, з максимальною крутизною робочої вольт-лінійної характеристики або мінімальним тепловим обуренням, внесеним у середовище рідкого кріопродукта.

• Ємельянов Василь Юрійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"