Набула подальшого розвитку технологія формування багатокомпонентних електронних приладових композицій PcCu/ПК/n-Si і PcAl/ПК/n-Si, за якою на поверхні пористого кремнію (ПК) стало можливим одержувати покриття зшитої структури, що є переплетеними, хаотично розташованими волокнами (діаметр 150 - 300 нм та довжиною 1 мкм). В результаті розроблено сонячні елементи зі структурами Cu/PcCu/ПК/n-Si/р-Si/р⁺-Si/ІТО і Аl/РсАl/ПК/n-Si/р-Sі/р⁺-Sі/ІТО з к.к.д. 16,01 % і 15,8 %, фактором заповнення 0,79 і 0,74 відповідно, затіненням контактною мережею, що не перевищує 1 %. Доповнено наукові дані про значення опорів розтікання (R{\dn\fs8 p}) і металізації (R{\dn\fs8 M}) для структур Сu/РсСu/ПК/n-Sі/р-Sі/р⁺-Sі/ІТО і Аl/РсАl/ПК/n-Sі/р-Sі/р⁺-Sі/ІТО, що характеризуються зниженням опору розтікання R{\dn\fs8 p} в 4 раза і 2,6 разів відповідно та підвищенням опору металізації R{\dn\fs8 M} в 3 700 разів, відносно Сu/n-Sі/р-Sі/р⁺-Sі/ІТО і Аl/n-Sі/р-Sі/р⁺-Sі/ІТО.

• Зубко Євгенія Іванівна (1983–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"