Розробка детекторів Si (Li) великих розмірів (з діаметром чутливої області більше 110 мм), з високою енергією та точністю позиціонування, лінійністю сигналів у широкому енергетичному діапазоні для альфа, бета та гамма-частинок все ще залишається досить складною проблемою. Запропоновано технологію вдосконалення процедури виготовлення структурованих p-i-n детекторів Si (Li). Розглянуто метод додаткового "згладжування" дрейфу до вже підготовлених детекторів Si (Li), щоб досягти рівномірно скомпенсованої чутливої області по всьому об'єму та згладити локальні ділянки нескомпенсованих областей детекторів за певної температури та електричного поля. Одержані експериментальні результати показують, що проведення додаткового процесу "згладжування" дрейфу забезпечує рівномірний розподіл іонів літію в кремнії і є однією з основних технологічних операцій. Вибір температурно-часового режиму "згладжування" дрейфу залежить від питомого опору вихідного матеріалу. Тому для детекторів, одержаних на основі монокристалічного кремнію p-типу з високим опором (одержаним за допомогою методу поплавкової зони) та низьким опором (одержаним за методом Чохральського), було проведено додаткове "згладжування" дрейфу та порівняно їх електрофізичні реакції. Отже, було визначено, що для матеріалів з низьким опором "згладжування" дрейфу є більш ефективним.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"