Процеси рекомбінації та захоплення електронів і дірок через поверхневі центри рекомбінації та захоплення суттєво впливають на ефективність різних фотоелектричних пристроїв. Через це у процесі виробництва таких пристроїв значну увагу приділяють пасивації поверхонь. Різні аспекти пасивації поверхні Si та SiGe достатньо широко розглянуто в літературі. Зокрема, показано, що сонохімічна обробка поверхні, наприклад, в хлороформі (CHCl3), може значно покращити фотоелектричний відгук. У даній роботі показано, що й інший карбонмісткий реакційноздатний поверхневий травник, дихлорметан (CH2Cl2), використаний у сонохімічному реакторі, може ефективно впливати на величину поверхневої фотоерс в зразках Si та SiGe. Дослідження рентгенівської дифракції показали, що шар сплаву Si - Ge утворює тверді розчини Si в Ge (що містить приблизно 59 ат. % Si) та Ge в Si (наближено 90 ат. % Si). У монокристалічному Si одержано збільшення на порядок величини сигналу фотоерс із трохи затягнутою кривою її релаксації. В SiGe це збільшення фотовідгуку складає біля 50 %. На відміну від Si, сонохімічна обробка поверхні SiGe призводить до прискорення короткочасної компоненти й уповільнення довготривалої складової сигналу поверхневої фотоерс, що описується подвійною експоненціально спадаючою функцією. Оскільки дихлорметан виступає як джерело вуглецю, можна припустити, що звільнений під час сонохімічної обробки вуглець ефективно пасивує вільні кремнієві зв'язки. Зазначено, що сонохімічна обробка має потенціал використання для пасивації поверхонь у виробництві сонячних батарей на основі Si та SiGe.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Коротченков Олег Олександрович (1958–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"