Плазмонная спектроскопия применена для исследования электронных состояний вблизи ориентированной параллельно кристаллографической плоскости (100) поверхности монокристалла W после различных видов ее термохимической и ионной обработок. Исследование атомарно чистых граней металлических монокристаллов в сверхвысоком вакууме позволило повысить достоверность экспериментальных данных и сравнить их с существующими теоретическими моделями, разработанными для идеальных кристаллов со свободной поверхностью. Определены усредненные значения энергии поверхностных (Es) и объемных (Eb) плазмонов, их отношение Eb/Es, соответствующие этим плазмонам концентрации электронов проводимости, относительное изменение межплоскостных расстояний, а также значения работы выхода электронов с поверхности образца W (100) в исходном состоянии, а также после последовательных нагреваний в интервале температур <$E500~-~1600~symbol Р roman C>, экспозиций в чистом атомарном кислороде и бомбардировки низкоэнергетическими ионами Ar<^>+. Дано объяснение существенной зависимости экспериментальных значений энергии возбуждения плазмонов от состояния поверхности образца и степени их приближения в процессе его термохимической и ионной обработок к значениям, рассчитанным согласно классической теории коллективных электронно-плазменных колебаний в твердом теле. Получены важные для практического применения в термоэмиссионных преобразователях энергии минимальное (4,07 эВ) и максимальное (4,37 эВ) значения работы выхода электронов с поверхности W(100), определяемые типами ее обработки.

• Смольник Святослав Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"