Проведено моделювання окремих технологічних етапів скануючої рідиннофазної епітаксії (СРФЕ): змочування підкладки розчином-розплавом за допомогою сили Ампера, вирощування епітаксійного шару під час короткочасного контакту між підкладкою і розчином-розплавом та видалення розчину-розплаву з підкладки з використанням сили Ампера. Моделювання проводили для випадку вирощування шарів Ge на підкладці GaAs з розчину-розплаву Ga-Ge за температури <$E500~symbol Р roman C>. Було виявлено, що ефект Пельтьє та джоулево тепло практично не впливають на структуру росту та за певних умов їх навіть можна зменшити. Електроміграцісю та конвекцією у розчині-розплаві можна знехтувати. Показано, що основними технологічними параметрами методу СРФЕ є такі: початкові температури та розміри підкладки і ростової комірки, умови відведення тепла з тильного боку підкладки та час процесу росту. Було також показано, що основним внеском у розподіл товщини епітаксійного шару по поверхні підкладки був розподіл тепла в охолодженій підкладці.

• Цибуленко Вадим Володимирович (технічні науки)
• Шутов Станіслав Вікторович (1959–) (технічні науки)
• Єрохін Сергій Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"