Присвячено вивченню закономірностей змін кристалічної структури та електропровідності під час формування та розпаду модульованих структур у потрійних халькогенідних сегнетоелектриках TlInS₂ та Ag₃AsS₃, а також встановленню впливу рентгенівського та оптичного опромінення на параметри таких процесів. Методом рентгенівської триколової дифрактометрії встановлено, що у разі досягнення поглиненої дози 2,9 кГр неспівмірна фаза (НФ) утворюється вже при кімнатній температурі, тоді як для неопромінених зразків формування сателітів НФ з q_i ( ±δ;0,±0,25) (δ=0,0,45±0,006) було зафіксовано при температурах 238 К - 240 К, які на 24 К - 26 К перевищують відоме у літературі значення температури фазового переходу парафаза - НФ T_i=214 K. Зміна форми та відносної інтенсивності сателітів при опроміненні свідчить про формування декількох хвиль статичних атомних зміщень з різними значеннями параметра неспівмірності δ= 0,02-0,17 та утворення хвиль концентрації атомів у напрямі хвиль зміщень.

• Ніколаєнко Аліна Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"