Досліджено температурні залежності (77 - 300 К) термоелектричних (ТЕ) властивостей (коефіцієнта Зеєбека S, електропровідності <$Esigma>, коефіцієнта Холла RH, холлівської рухливості <$Emu sub H> носіїв заряду та ТЕ потужності P) полікристалів p-Bi2Te3 (60,0 at. % Te) та n-Bi2Te3 (62,8 at. % Te) і тонких плівок, що вирощені з цих кристалів за методом термічного випаровування у вакуумі. Вимірювання проводили на зразках відразу після приготування та після старіння на повітрі протягом 5 років за кімнатної температури. Встановлено, що після старіння у полікристалах p- та n-Bi2Te3 і у плівках n-типу, одержаних із кристалів n-Bi2Te3, тип провідності зберігався, але у плівках p-типу, вирощених із кристалів p-Bi2Te3, тип провідності змінився з діркового на електронний. На основі залежностей RH(T) визначено енергії активації дефектних станів. Значення P за температур, близьких до кімнатної, у полікристалах n-Bi2Te3 та p-Bi2Te3 після старіння зменшувалися на ~ 20 %. Значення P для плівки n-типу, яку вирощено із кристала n-Bi2Te3, після старіння збільшилося на 20 - 30 %, у плівці p-типу, яку одержано із полікристала p-Bi2Te3, і яка змінила після старіння тип провідності, значення P перевищують значення P плівки, вирощеної з полікристала n-Bi2Te, на ~ 35 % за 250 К і на 25 % за 300 К, маючи за цих температур нижчі значення P, ніж полікристал n-Bi2Te3 після старіння на ~ 15 %.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"