Досліджено температурні, амплітудні та часові характеристики електрофізичних параметрів структур GaN/Al0,2Ga0,8N/GaN/AlN за ввімкнення/вимкнення ультразвуку (<$E{ symbol Ж} sub уз ~=~9> МГц). Встановлено, що за развукового навантаження відбувається зростання концентрації n(T) та зменшення рухливості носіїв заряду <$Emu sub H (T)>; у разі зниження температури ефект акустично індукованих змін зростає. За ввімкнення та вимкнення развуку спостерігалися довготривалі (до ~500 с) релаксації акустопровідності <$Esigma sub уз (t)>, за збільшення амплітуди ультразвукового напруження <$Etau sub уз> за низьких температур акустопровідність експоненційно зростає, а високих - експоненційно зменшується. Встановлено, що основними механізмами розсіювання носіїв заряду в області низьких температур <$ET~symbol Г~150> К) є розсіювання на заряджених центрах та на дислокаціях; в області високих (T >> 200 К) рухливість обмежена розсіюванням на полярних оптичних фононах. Запропоновано акустодеформаційний механізм розподілу носіїв заряду в результаті акустичної деформації гратки та відповідної додаткової п'єзополяризації структури. Розглянуто також альтернативний механізм, який може відбуватися одночасно і пов'язаний з акустоіндукованою перебудовою метастабільних DX-центрів. Вивчення ефекту надає змогу одержати інформацію як про саму дефектну структуру матеріалу, так і про природу змін його макроскопічних характеристик під дією ультразвукового навантаження. З практичного боку це сприяє пошуку нових можливостей використання ультразвуку для керування кінетикою фізичних параметрів напіпровідникових структур.

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"