З використанням методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів, з використанням авторського програмного комплексу, що адекватно відтворює шарувату структуру халькогенідів стануму з інтеркальваними атомами Na та Li, виконано обчислювальний експеримент. Одержано просторові розподіли електронної густини валентних електронів і перетини їх, енергетичні бар'єри міграції атомів Na та Li в міжшаровому прошарку аноди акумулятора, виконаної з нанорозмірного SnS2 за різних ступенів наповненості її атомами металу. Проаналізовано рух атомів Na та Li, що супроводжувався доланням енергетичних бар'єрів, величини яких залежали від ступеня наповнености наноструктурного прошарку SnS2 атомами металу. Зафіксовано оптимальну наповненість наноструктурного прошарку SnS2 атомами Na та Li в 75 %, за якої рух атомів Na та Li супроводжувався найменшими енергетичними затратами.

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"