Виявлено температурний гістерезис електропровідності <$Esigma (T)>, спричинений ультразвуком, у вильнокомпенсованих низькоомних кристалах CdZnTe з великою кількістю дислокацій. Для розуміння основних процесів акустоіндукованої перебудови точково-дефектної структури таких кристалів за допомогою методу диференціальної еволюції проведено апроксимацію експериментальних залежностей концентрації та рухливості носіїв заряду за різних напрямках температурної зміни. Оцінено відносний вклад кожного з механізмів розсіювання носіїв (на нейтральних домішках, дислокаціях, іонізованих домішках та гратці), а також концентрації глибоких і мілких дефектів та їх зміни під дією ультразвуку. Перебудова складних дефектних комплексів викликана присутністю цинку (можливо, комплексами [(<$EV sub Zn sup 2- 2Cl sub Te sup + ) sup 0>] і [(<$EV sub Zn sup 2- Cl sub Te sup + ) sup ->]), зокрема, DX-центрами, які під дією ультразвукового навантаження можуть переходити в метастабільний стан.

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Оліх Олег Ярославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"