Методом теорії функціонала густини (B3LYP, 6-31G<^>**) розраховано 3 види переміщень, а саме коливання як цілого, обертання та дифузію димерів >>Ge = Ge<<, >>Ge = Si<< і >>Si = Si<<, які формуються на кристалічній поверхні Si(001)(4 x 2) у процесі осадження на ній атомів германію в умовах молекулярно-променевої епітаксії. Проведено розрахунки кутів буклювання аддимерів. Показано, що за коливань аддимерів як цілого навколо рівноважного положення енергетичні бар'єри є досить низькими, найвищий із них має місце для змішаного аддимера >>Si = Ge<<. Чисті аддимери >>Ge = Ge<< і >>Si = Si<< коливаються між двома виродженими станами з енергетичним бар'єром 0,042 і 0,014 еВ відповідно. Отримано структури перехідного стану та інтермедіата у разі переміщення аддимера >>Ge = Ge<< між сусідніми комірками в наближенні постійної довжини зв'язку >>Ge = Ge<<. Як показали розрахунки, всі трансформації поверхневих димерів відбуваються з відносно невеликими енергіями активізації, числові значення яких задовільно узгоджуються з результатами СТМ-експериментів, наявних у літературі.

• Теребінська Марія Іванівна (фізико-математичні науки)
• Ткачук Олександр Іванович (юридичні науки)
• Ткачук Ольга Іванівна (хімічні науки)
• Дацюк Андрій Михайлович (геологічні науки)
• Філоненко Оксана В'ячеславівна (фізико-математичні науки)
• Філоненко Олена В'ячеславівна (медичні науки)
• Лобанов Віктор Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)
• Лобанов Віктор Володимирович (фізичне виховання та спорт)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"