Оліх Я. М. Значення DX-центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів в GaN/AlGaN / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, В. П. Кладько, О. І. Любченко, О. Є. Бєляєв, В. В. Калюжний // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2021. - Вип. 56. - С. 61-70. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.Проведено співставлення експериментальних результатів амплітудних ефектів (від амплітуди деформації ультразвукової хвилі - напруження <$E tau sub уз>) для концентрації електронів та зміни параметра гратки на одному і тому ж зразку GaN/Al0,2Ga0,8N/GaN/AlN. Експериментально встановлено, що при УЗ навантаженні (частота - 5 - 10 МГц, амплітуда - до 2 x 10<^>4 Вт/м<^>2) відбувається зростання ефективної концентрації електронів та збільшення параметра гратки. Виявлена кореляція величини акустоіндукованих ефектів у відмінних експериментах дозволяє побудувати кількісну енергетичну модель процесу акустичної дії, основану на властивостях метастабільних DX-центрів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 в732.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|