Проведено вивчення впливу ємності зв'язку (CC) на шум перехресних перешкод у високопродуктивних вбудованих наноінтегральних схемах наступного покоління шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу (MFP) електронів між двома сусідніми мережами за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки (GNR). Для аналізу ємності зв'язку розглянуто міжз'єднання трьох багатошарових графенових нанострічок (MLGNR) з різною відстанню між дротами (від 10 до 300 нм) і різною довжиною міжз'єднання (100, 200 і 300 мкм). Помічено, що менший зазор між двома сусідніми мережами демонструє в 4 - 6 разів більшу ємність зв'язку у порівнянні з більшою відстанню між дротами. З точки зору MFP електронів, більша величина MFP показує на 20 - 34 % меншу ємність зв'язку у порівняні з меншою величиною MFP. При аналізі шуму перехресних перешкод модель із трьома з'єднаннями зі схемою навантаження драйвера (тобто схемою CMOS-інвертора з мережею агресора та жертви) використовується для вивчення продуктивності з'єднань GNR з точки зору пікового шуму з різними можливими комбінаціями входів. Також помічено, що більша величина MFP міжз'єднання MLGNR демонструє менший пік шуму (1,11 мВ з MFP = 00 нм). Наведений аналіз корисний для проектування високошвидкісних інтегральних схем нового покоління, які є ефективними за площею та стійкими до шуму, з використанням з'єднань GNR.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"