РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000810134<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Бондаренко Д. В. 
Використання MOSFET-транзисторів у сонячних панелях / Д. В. Бондаренко // Відновлюв. енергетика. - 2022. - № 3. - С. 62-67. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

MOSFET-транзистори використано під час побудови сонячної панелі. Зазначається, що для коректної роботи фотовольтаїчних елементів у сонячних панелях та роботи сонячних панелей на електростанціях використовуються шунтувальні та блокувальні діоди. Зазначено, що перспективнішим розвитком конструювання сонячних панелей є заміна таких діодів на MOSFET-транзистори. Оскільки такі транзистори мають низький внутрішній опір при прямому включенні, їх використання є доцільним. Показана можливість керування в сонячній панелі таким елементом як транзистор, на відміну від діоду. Таке керування можливо здійснювати від внутрішньої напруги на фотоелементах та від зовнішніх чинників. Також показана можливість динамічного з'єднання фотоелементів у сонячних панелях за допомогою MOSFET-транзисторів. Визначено, що для динамічної комутації паралельних і послідовних з'єднань потрібні три елементи електричного кола, відображено елементарне коло динамічних з'єднань. Побудована базова схема динамічної комутації фотоелементів у сонячній панелі з використанням польових транзисторів. Запропоновано шлях вирішення проблеми наявності паразитного діоду. Розглянуто використання двох з'єднаних на зустріч MOSFET-транзисторів для динамічної комутації. Відмічено, що для керування таким колом доцільно використовувати програмовані логічні контролери, які можуть керувати комутацією з використанням заздалегідь завантаженої мікропрограми. На прикладі двох фотоелементів показана схема сонячної панелі з динамічними з'єднаннями фотоелементів і використанням збірок транзисторів та керуванням за допомогою контролера. Відмічено, що транзистори для динамічної комутації можуть бути використані як шунтувальні чи блокувальні діоди. Такий підхід дає змогу створювати універсальні та максимально інтегровані системи.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 + З637

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж25096 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського