Kuprin A. S. Effect of Deuterium ion implantation dose on microstructure and nanomechanical properties of Silicon = Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію / A. S. Kuprin, S. N. Dub, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, O. Morozov, G. N. Tolmachova, A. O. Pudov // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 1. - С. 01001-1-01001-6. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.Імплантація водню в кремній з подальшим відпалом (технологія Smart-Cut) застосовується для виготовлення мікроелектронних пристроїв. Покращені характеристики одержаних структур було досягнуто шляхом імплантації дейтерію замість водню. Метод наноіндентування широко використовується при вимірюванні твердості H та модуля пружності E матеріалів у нанорозмірному масштабі. Мета даної роботи - дослідження впливу дози імплантації іонів дейтерію на структуру та механічні властивості монокристалічного кремнію в нанорозмірному масштабі. Досліджено вплив доз імплантації іонів дейтерію в діапазоні від <$E2~times~10 sup 15> до <$E1~times~10 sup 18> D/см<^>2 на структуру та механічні властивості монокристалу кремнію в наномасштабі. Зразки полірованого кремнію (111) імплантували при 293 К пучком іонів дейтерію з енергією 24 кеВ. За допомогою методу Раманівської спектроскопії було показано, що залежно від дози імплантації в кремнії утворюються три структурні стани: дейтерій знаходиться у твердому розчині, суміш аморфної фази кремнію і твердого розчину, і тільки аморфний стан (a-Si:D). Термічна десорбційна спектроскопія показує, що при низьких дозах імплантації в спектрах термодесорбциї дейтерію спостерігається один пік з максимумом при Tmax ~ 575 К, а при дозах вище <$E5~times~10 sup 17> D/см<^>2 з'являється низькотемпературний пік з максимумом за 500 К, що свідчить про утворення аморфного гідрогенізованого кремнію a-Si:D. Наноіндентування показало, що в режимі повної пластичності в контакті (>> 100 нм), утворення твердого розчину дейтерію в кремнії спричиняє збільшення твердості поверхні зразка до 14,1 ГПа. Твердість поверхні різко зменшується до 3,6 ГПа з утворенням шару a-Si:D. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|