Леговані бором напівпровідникові монокристали алмазу кубооктаедричного габітусу з переважним розвитком граней октаедра {111} і незначною площею граней куба {001}, ромбододекаедра {110} і тетрагонтриоктаедра {311} було одержано за методом розчин-розплавної кристалізації під високим тиском 6,5 ГПа і за температур <$E1380~-~1420~symbol Р roman C>. Використання розчинника Fe - Al, який надає змогу контролювати включення домішки бору у межах <$E2~cdot~10 sup -4 ~-~10 sup -2> ат.%, надало змогу варіювати електрофізичні властивості кристалів. Методи мікрофотограмметрії, атомносилової мікроскопії та мікрораманівської спектроскопії було зстосовано для виявлення секторальної неоднорідності домішкового складу і морфології різних граней кристалів. Показано, що одержані кристали мають високу структурну досконалість і концентрацію бору від ~<$E1~cdot~10 sup 17> до ~<$E7~cdot~10 sup 18> см<^>-3. Збільшення концентрації бору призводить до зростання площі граней {111} у порівнянні із загальною площею кристала. Показано, що нанорозмірні морфологічні особливості, такі як тераси росту, сходинки, дендритоподібні наноструктури, стовпчасті субструктури, негативні піраміди росту на різних гранях кристала відображають особливості процесів розчинення вуглецю за високого тиску і високих температур. Зміни габітусу і морфології поверхні кристалів обговорютться у зв'язку з неоднорідною зміною термодинамічних умов росту і розчинення граней кристалів за різних концентрацій бору.

• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Ніколенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Коваленко Тетяна Вікторівна (технічні науки)
• Даниленко Ігор Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"