Детально розглянуто процес струмоперенесення у нанодротовому радіальному p-i-n діоді. Показано, що циліндрична геометрія структури призводить до специфічної асиметрії розподілу концентрації інжектованих в i-шар носіїв струму, яка обернена до тої, що зумовлена нерівністю рухливостей носіїв. Ця специфічна асиметрія зростає з наближенням i-шару до центра нанодроту. При цьому відбувається зменшення густини струму в "довгому" p-i-n діоді та її збільшення в "короткому" (за даної прямої напруги). А зміна радіальної товщини i-шару демонструє максимуми в густині струму за товщини, близької до довжини біполярної дифузії.

• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"